-
1 junction-gate FET
-
2 junction-gate FET
The New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > junction-gate FET
-
3 junction-gate fet
English-Russian big polytechnic dictionary > junction-gate fet
-
4 junction(-gate) FET
полевой транзистор с управляющим p-n-переходом, полевой транзистор с p-n-переходом в качестве затвораАнгло-русский словарь технических терминов > junction(-gate) FET
-
5 junction(-gate) FET
полевой транзистор с управляющим p-n-переходом, полевой транзистор с p-n-переходом в качестве затвораАнгло-русский словарь технических терминов > junction(-gate) FET
-
6 junction-gate FET
1) Техника: полевой транзистор с р - п- переходом в качестве затвора, полевой транзистор с управляющим р - п-переходом2) Телекоммуникации: полевой транзистор с плоскостным затвором3) Электроника: полевой транзистор с управляющим p-n-переходом -
7 junction-gate fet
1) Техника: полевой транзистор с р - п- переходом в качестве затвора, полевой транзистор с управляющим р - п-переходом2) Телекоммуникации: полевой транзистор с плоскостным затвором3) Электроника: полевой транзистор с управляющим p-n-переходом -
8 junction-gate FET
English-Russian dictionary of modern telecommunications > junction-gate FET
-
9 junction-gate FET
English-Russian dictionary of microelectronics > junction-gate FET
-
10 junction-gate fet
English-Russian dictionary of microelectronics > junction-gate fet
-
11 junction-gate FET
English-Russian dictionary of Information technology > junction-gate FET
-
12 junction-gate fet
English-Russian dictionary of electronics > junction-gate fet
-
13 charge storage junction gate FET
полевой транзистор с накоплением заряда и управляющим р - n-переходомБольшой англо-русский и русско-английский словарь > charge storage junction gate FET
-
14 charge storage junction gate FET
полевой транзистор с накоплением заряда и управляющим p-n-переходомАнгло-русский словарь технических терминов > charge storage junction gate FET
-
15 charge storage junction gate FET
Универсальный англо-русский словарь > charge storage junction gate FET
-
16 junction FET
= junction-gate FET полевой транзистор с управляющим р-n-переходом -
17 junction FET
= junction-gate FET полевой транзистор с управляющим p-n-переходомThe New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > junction FET
-
18 FET
= field-effect transistorполевой транзистор, ПТ- barrier-gate FET
- bi-FET
- bulk FET
- bulk-channel FET
- channel-injection FET
- collector FET
- common-drain FET
- common-gate FET
- common-source FET
- depletion mode FET
- double-gate FET
- electron-conducting FET
- enhancement mode FET
- epitaxial-diffused FET
- ferroelectric FET
- floating-gate FET
- gallium-arsenide FET
- gallium-nitride FET
- grounded-drain FET
- grounded-gate FET
- grounded-source FET
- heterojunction FET
- heterojunction-gate FET
- hole-conducting FET
- induced-channel FET
- infrared metal-oxide-semiconductor FET
- insulated-gate FET
- internal-channel FET
- JG FET
- junction FET
- junction-gate FET
- metal-gate FET
- metal-insulator-semiconductor FET
- metal-oxide-semiconductor FET
- metal-oxide-silicon FET
- metal-Schottky FET
- microwave FET
- MOD FET
- modulation doped FET
- monolithic FET
- multichannel FET
- multilayer-gate FET
- n-channel FET
- p-channel FET
- photoconductive FET
- photosensitive FET
- pinched-base FET
- planar FET
- p-n-junction FET
- punch-through FET
- remote-cutoff FET
- resonant-gate FET
- Schottky-barrier FET
- Schottky-gate FET
- self-aligned gate FET
- short-channel FET
- short-gate FET
- single-channel FET
- submicron gate FET
- surface-channel FET
- two-gate FET
- two-junction FET
- uniform-channel FET
- vertical FET -
19 FET
сокр. от field-effect transistorполевой транзистор, ПТ- barrier-gate FET- bi-FET- bulk FET- bulk-channel FET
- channel-injection FET
- collector FET
- common-drain FET
- common-gate FET
- common-source FET
- depletion mode FET
- double-gate FET
- electron-conducting FET
- enhancement mode FET
- epitaxial-diffused FET
- ferroelectric FET
- floating-gate FET
- gallium-arsenide FET
- gallium-nitride FET
- grounded-drain FET
- grounded-gate FET
- grounded-source FET
- heterojunction FET
- heterojunction-gate FET
- hole-conducting FET
- induced-channel FET
- infrared metal-oxide-semiconductor FET
- insulated-gate FET
- internal-channel FET
- JG FET
- junction FET
- junction-gate FET
- metal-gate FET
- metal-insulator-semiconductor FET
- metal-oxide-semiconductor FET
- metal-oxide-silicon FET
- metal-Schottky FET
- microwave FET
- MOD FET
- modulation doped FET
- monolithic FET
- multichannel FET
- multilayer-gate FET
- n-channel FET
- p-channel FET
- photoconductive FET
- photosensitive FET
- pinched-base FET
- planar FET
- p-n-junction FET
- punch-through FET
- remote-cutoff FET
- resonant-gate FET
- Schottky-barrier FET
- Schottky-gate FET
- self-aligned gate FET
- short-channel FET
- short-gate FET
- single-channel FET
- submicron gate FET
- surface-channel FET
- two-gate FET
- two-junction FET
- uniform-channel FET
- vertical FETThe New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > FET
-
20 FET
сокр. от field-effect transistor-
adjustable threshold FET
-
back-gated FET
-
barrier-gate FET
-
bipolar junction FET
-
bipolar FET
-
bipolar-diffused FET
-
buried-channel FET
-
charge storage junction gate FET
-
charge-coupled FET
-
compound FET
-
conductivity modulated FET
-
conductor-insulator-semiconductor FET
-
depletion mode FET
-
dual-gate FET
-
enhancement mode FET
-
ferroelectric FET
-
floating-gate FET
-
gallium-arsenide FET
-
heterojunction-gate FET
-
heterojunction FET
-
insulated-gate FET
-
internal-channel FET
-
junction-gate FET
-
junction FET
-
lateral FET
-
metallized semiconductor FET
-
metal semiconductor FET
-
metal-ferroelectric semiconductor FET
-
metal-gate FET
-
metal-insulator-semiconductor FET
-
metal-oxide-semiconductor FET
-
microwave FET
-
multichannel FET
-
n-channel FET
-
normally-off FET
-
normally-on FET
-
optical FET
-
p-channel FET
-
pinched-base FET
-
pinched FET
-
planar FET
-
polysilicon FET
-
poly FET
-
power FET
-
resistive-insulated-gate FET
-
Schottky-barrier-FET
-
Schottky-FET
-
Schottky-gate FET
-
self-aligned gate FET
-
self-aligned FET
-
short channel FET
-
single-channel FET
-
surface-channel FET
-
surface FET
-
uniform FET
-
unipolar FET
-
V-channel FET
-
vertical-channel FET
-
vertical FET
-
vertical-structure FET
-
V-groove FET
- 1
- 2
См. также в других словарях:
junction-gate FET — sandūrinis lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. junction gate FET; junction gate field effect transistor; p n junction FET vok. Sperrschicht Feldeffekttransistor, m; Sperrschicht FET, m rus. полевой транзистор … Radioelektronikos terminų žodynas
junction-gate field-effect transistor — sandūrinis lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. junction gate FET; junction gate field effect transistor; p n junction FET vok. Sperrschicht Feldeffekttransistor, m; Sperrschicht FET, m rus. полевой транзистор … Radioelektronikos terminų žodynas
Junction Field Effect Transistor — Der Sperrschicht Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction fet, JFET bzw. non insulated gate fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n Kanal und p… … Deutsch Wikipedia
p-n junction FET — sandūrinis lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. junction gate FET; junction gate field effect transistor; p n junction FET vok. Sperrschicht Feldeffekttransistor, m; Sperrschicht FET, m rus. полевой транзистор … Radioelektronikos terminų žodynas
Sperrschicht-FET — sandūrinis lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. junction gate FET; junction gate field effect transistor; p n junction FET vok. Sperrschicht Feldeffekttransistor, m; Sperrschicht FET, m rus. полевой транзистор … Radioelektronikos terminų žodynas
Junction Field Effect Transistor — Schémas de principe d un JFET à canal N Un transistor de type JFET (Junction Field Effect Transistor) est un transistor à effet de champ dont la grille est directement en contact avec le canal. On distingue les JFET avec un canal de type N, et… … Wikipédia en Français
Sperrschicht-FET — Der Sperrschicht Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction fet, JFET bzw. non insulated gate fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n Kanal und p… … Deutsch Wikipedia
Insulated-gate bipolar transistor — The insulated gate bipolar transistor or IGBT is a three terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. It switches electric power in many modern appliances: electric cars, variable speed refrigerators, air… … Wikipedia
MOS-FET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
MOS-Fet — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
Dual-Gate-MOSFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia